PATENTS
2017
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Method of manufacturing absorber layer containing semiconductor nanoparticles and method of manufacturing semiconductor device containing the same absorber layer
이창희, 차국헌, 이성훈, 이동구, 임재훈, 송지연
중국, 등록번호: ZL201410103333.7, 등록일자: 2017.04.19.
2016
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양자점 제조 방법
강종혁, 신중한, 박재병, 이동구, 남민기, 차국헌, 이성훈, 배완기, 임재훈, 정주현
한국, 등록번호: 1016641800000, 등록일자: 2016.10.04.
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양자점 발광소자 및 이의 제조 방법
강호철, 노영훈, 이창희, 차국헌, 이성훈, 곽정훈, 배완기, 임재훈, 이동구
한국, 등록번호: 1016413670000, 등록일자: 2016.07.14.
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Method of manufacturing absorber layer containing semiconductor nanoparticles and method of manufacturing semiconductor device containing the same absorber layer
이창희, 차국헌, 이성훈, 이동구, 임재훈, 송지연
미국, 등록번호: 9246116, 등록일자: 2016.01.26.
2015
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반도체 나노입자를 포함하는 평면 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법
이창희, 차국헌, 이성훈, 이동구, 임재훈, 송지연
한국, 등록번호: 1015443170000, 등록일자: 2015.08.06.
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Quantum dot light emitting element and method for manufacturing the same
김영미, 강호철, 김효진, 이창희, 차국헌, 이성훈, 곽정훈, 배완기, 이동구, 임재훈
미국, 등록번호: 9073752, 등록일자: 2015.07.07.
2014
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나노 결정, 그 제조방법, 및 이를 포함하는 소자
차국헌, 이성훈, 임재훈, 배완기
한국, 등록번호: 1014620050000, 등록일자: 2014.11.10.
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Quantum Dot-Block Copolymer Hybrid and Fabrication Method and Dispersion Method of the Same, And Light Emittting Device Having The Quantum Dot-Block Copolymer Hybrid and Fabrication Method o the Same
강호철, 신중한, 박재병, 이동훈, 차국헌, 이성훈, 배완기, 임재훈
미국, 등록번호: 8766315, 등록일자: 2014.07.01.
2013
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Method of Manufacturing Quantum Dot
강종혁, 신중한, 박재병, 이동훈, 남민기, 차국헌, 이성훈, 배완기, 임재훈, 정주현
미국, 등록번호: 8460632, 등록일자: 2013.06.11.
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양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이
김영미, 강호철, 김효진, 이창희, 차국헌, 이성훈, 곽정훈, 배완기, 이동구, 임재훈
한국, 등록번호: 1012740680000, 등록일자: 2013.06.05.
2012
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양자점 다층 박막을 포함한 전기발광소자
차국헌, 이성훈, 이창희, 배완기, 곽정훈, 임재훈
한국, 등록번호: 1011403090000, 등록일자: 2012.04.19.